Project Description

반도체 – 후공정

백그라인딩휠 – Nano Pol (비트리)

· 웨이퍼 표면 조도 및 die 강도 향상
· 연삭에 의해 발생하는 웨이퍼 표면에서의 응력 및 웨이퍼 엣지 칩핑 최소화
· 비교적 규칙적인 다이아몬드 배열 실현
· 기공률, 기공 모양 및 크기 조정 가능
· 실리콘 웨이퍼 가공 시 최소 가능 타겟 두께 : 17㎛ (Ultra Thin Wafer)
· TSV 및 지문인식용 복합소재 웨이퍼 가공 시 뛰어난 연삭능력 발휘
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